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作者: BigLoser 访问次数: 630 创建时间: 2020-04-14 21:09:52 更新时间: 2024-05-11 14:32:59
由华人科学家胡正明教授发明的FinFET（鳍式场效应晶体管）预计在5nm节点之后走向终结，三星的方案是GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）。三星日前简要介绍了GAAFET中核心技术MCBFET（多桥沟道场效应晶体管），基于它打造的3nm芯片，相较于7nm FinFET,可以减少50%的能耗，增加30%的性能。
按照三星的说法，他们预计3nm晶体管的硅间距缩减45%之多。
据悉，MCBFET允许晶体管向上堆叠、并且自定义宽度，以适应低功耗或者高性能产品的不同要求。
另外，三星规划3nm量产的时间是2022年，这和上周的报道契合。推迟的原因主要是，EUV光刻机等关键设备在物流上的延迟。
至于台积电的3nm，据说第一代还是FinFET，总投资高达500亿美元，风险试产也推迟到了今年10月。
语言: zh-CN
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源网址: https://www.cnbeta.com/articles/tech/967393.htm
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