NAND闪存从SLC到MLC再到TLC，可以说一步步降低了成本，提升了容量，这是它们得以普及的关键。现在QLC闪存在这一年中发展迅猛，大有抢TLC风头的意味，而更渣的PLC闪存也在路上了。

所谓SLC、MLC、TLC、QLC及PLC，指的是闪存的类型，它们每个cell单元分别存放1、2、3、4、5位电荷，所以容量越来越大，但是代价就是写入速度越来越低，P/E寿命越来越渣，QLC的P/E次数宣传上有1000次，实际大概是几百次，FLC时代弄不好要跌到100次内了。

从消费者角度来说，QLC闪存都很难接受，更别提再渣一等的PLC闪存，这寿命和速度看着不让人放心。

但是闪存厂商对PLC闪存的研究早就开始了，随着QLC闪存发展的第三、第四代，目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了，研发中的FLC闪存进入市场只是迟早的事。

从Intel之前的表态来看，他们早就规划好FLC闪存了，好消息是其3D PLC闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构（Floating Gate），尽管当前3D闪存的主流结构是Charge Trap电荷捕获型，但Intel指出，浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。

三星、东芝、美光、SK海力士、西数等公司的FLC闪存也是箭在弦上，只是时间早晚的事。

FLC闪存一定会被推到市场上，但是最终能不能被接受还不好说，SINA存储网络协会董事会成员J Metz认为FLC闪存在技术上是不可避免的，但他对其市场前景表示怀疑，特别是TLC闪存等成本不断下降的情况下。

根据J Metz的看法，阻碍FLC闪存的倒不是FLC本身缺点，而是厂商如果能在TLC或者QLC闪存上就做到需要的大容量、成本等指标，那就没必要去推FLC闪存，毕竟后者在技术、可靠性等方面确实需要更多投入。