作者: BigLoser 访问次数: 465 创建时间: 2020-03-23 22:43:35 更新时间: 2024-05-04 06:56:15
台积电尚未公布5nm工艺的具体指标,只知道会大规模集成EUV极紫外光刻技术,不过在一篇论文中披露了一张晶体管结构侧视图。
WikiChips经过分析后估计,台积电5nm的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25-26nm,单元高度约为180nm,照此计算,台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。
相比于初代7nm的每平方毫米9120万个,这一数字增加了足足88%,而台积电官方宣传的数字是84%。
虽然这些年摩尔定律渐渐失效,虽然台积电的工艺经常面临质疑,但不得不佩服台积电的推进速度,要知道16nm工艺量产也只是不到5年前的事情,那时候的晶体管密度才不过每平方毫米2888万个,5nm已经是它的几乎六倍!
另外,台积电10nm工艺的晶体管密度为每平方毫米5251万个,5nm是它的近3.3倍。
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